真我GT2大師探索版曝光 號(hào)稱工業(yè)設(shè)計(jì)的天花板正面效果極為震撼

來(lái)源：快科技

此前真我官方公布，真我GT2大師探索版將于7月12日正式發(fā)布，近日也開(kāi)始逐漸放出與新機(jī)相關(guān)的物料。

官方將這款機(jī)型稱為“年度質(zhì)感旗艦”，號(hào)稱是“工業(yè)設(shè)計(jì)的天花板”。隨著新機(jī)發(fā)布時(shí)間的日益臨近，網(wǎng)上關(guān)于這款機(jī)型的爆料也更加密集。

根據(jù)官網(wǎng)的信息，真我GT2大師探索版將搭載高通驍龍8+處理器，采用了6.7英寸的中置挖孔柔性屏，屏占比將達(dá)到94.2%，支持最高120Hz的高刷和DC調(diào)光，并將具備全局暗色模式，影像由一顆5000萬(wàn)像素主攝以及一顆5000萬(wàn)像素超廣角攝像頭和一顆200萬(wàn)像素微距組成。

由于高通驍龍8的糟糕表現(xiàn)，以及能耗比令人失望和更高的溫度，都讓驍龍8這顆芯片飽受爭(zhēng)議。為了一雪前恥，高通也是提前釋出了高通驍龍8+這顆芯片。

除了主頻上的提升外，還將這顆芯片的代工工作交給了臺(tái)積電，并且是基于臺(tái)積電的4nm工藝制程打造，據(jù)說(shuō)在性能提升的同時(shí)將帶來(lái)更好的溫度表現(xiàn)。

但是真我覺(jué)得這還不夠，在真我GT2大師探索版中采用了三明治立體雙VC結(jié)構(gòu)的散熱系統(tǒng)，VC面積達(dá)到了4811平方毫米，直接將專業(yè)游戲手機(jī)上的配置搬到了旗艦機(jī)上。同時(shí)還將全球首發(fā)LPDDR5X內(nèi)存，傳輸速率從LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps。

真我GT2大師探索版的機(jī)身采用了金屬中框設(shè)計(jì)，重量?jī)H為195g，同時(shí)內(nèi)置5000mAh大容量電池，并首次在手機(jī)端引入了氮化鎵器件，實(shí)現(xiàn)了全鏈路GaN百瓦秒充，充至100%僅需25分鐘。搭配100W的氮化鎵的充電頭，官方宣稱可將發(fā)熱峰值降低85%左右。

根據(jù)知名爆料博主在社交平臺(tái)曬出的最新真我GT2大師探索版和iPhone 13 Pro的對(duì)比照片看出，全新的真我GT2大師探索版將采用COP封裝工藝，直接將屏幕的一部分彎折然后封裝。

此舉極大地縮減了下邊框的寬度，讓邊框?qū)挾葍H為2.37mm，比iPhone 13 Pro更窄，正面效果極為震撼。海外網(wǎng)友看到照片后給出評(píng)論“安卓領(lǐng)先iPhone5年”。

結(jié)合此前的爆料，真我GT2大師探索版將采用環(huán)保素皮設(shè)計(jì)，將給用戶帶來(lái)極其細(xì)膩的握持手感。并且配以金屬鉚釘裝飾，配合硬箱造型的直角金屬中框，真機(jī)散發(fā)著一種優(yōu)雅的氣質(zhì)。

從工業(yè)設(shè)計(jì)上來(lái)說(shuō)，真我GT2大師探索版已經(jīng)做到了領(lǐng)先同行的水準(zhǔn)，如果真如傳言中所說(shuō)，這款機(jī)型的起售價(jià)將從3000元起跳，那么在市場(chǎng)上將會(huì)極具競(jìng)爭(zhēng)力。

標(biāo)簽： realmeGT2 大師探索版 外觀設(shè)計(jì) 高通驍龍

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